Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Depot chimique en phase vapeur — Dépôt chimique en phase vapeur Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en… … Wikipédia en Français
Dépôt Chimique En Phase Vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Dépôt chimique en phase vapeur — Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Sommaire 1 Principe 2 Variantes du dépôt chimique en phase vapeur 3 … Wikipédia en Français
Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma — Equipement de PECVD. Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d un état gazeux… … Wikipédia en Français
dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique — cheminis garinis nusodinimas atmosferos slėgyje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. atmospheric pressure chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Gasphase bei atmosphärischem Druck, f rus. химическое… … Radioelektronikos terminų žodynas
dépôt chimique en phase vapeur à haute température — aukštatemperatūris cheminis garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high temperature chemical vapor deposition vok. chemische Hochtemperaturabscheidung aus der Gasphase, f rus. высокотемпературное химическое… … Radioelektronikos terminų žodynas
dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique — cheminis garinis metaloorganinio junginio nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metallo organic chemical vapor deposition vok. chemische metallorganische Abscheidung aus der Gasphase, f rus. химическое осаждение… … Radioelektronikos terminų žodynas
dépôt chimique en phase vapeur à pression réduite — cheminis garinis nusodinimas mažesniame slėgyje statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reduced pressure chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Gasphase bei reduziertem Druck, f rus. химическое осаждение из… … Radioelektronikos terminų žodynas
dépôt chimique en phase vapeur de silane — cheminis nusodinimas iš silano garų statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silane chemical vapor deposition vok. chemische Abscheidung aus der Silan Gasphase, f rus. химическое осаждение из паровой фазы силана, n pranc. dépôt… … Radioelektronikos terminų žodynas
film déposé par dépôt chimique en phase vapeur — cheminiu gariniu būdu nusodinta plėvelė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition film vok. chemische Gasphasenabscheidungschicht, f rus. плёнка, полученная химическим осаждением из паровой фазы, f pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
